SiTime MEMS硅晶振采用全硅的MEMS技术，由两个芯片堆栈起来，下方是CMOS PLL驱动芯片，上方则是MEMS谐振器，以标准QFN IC封装方式完成。封装尺寸以及焊接管脚与传统标准石英振荡器的脚位完全兼容，可直接替代原来石英产品，无须更改任何设计。

SiTime MEMS硅晶振具有无温飘、稳定性高、低成本等优势，从本质上克服了石英的诸多缺点，更符合现代电子的发展方向。SiTime公司依托德国BOSH公司经30年验证的MEMS时脉技术，全球率先推出了 MEMS全硅晶振，目前其已经成功开发出了包括TCXO、OCXO在内的三代产品，产品开发速度与性能远远高于同行业厂商。

其实，就是相当于SiTime公司将石英晶振全面硅化，将其变成一颗芯片了。SiTime公司的MEMS硅晶振采用全自动化的半导体生产工艺流程。以自然界中储量仅次于氧元素，位居第二的硅元素为生产材料。让高性能与低成本变成了，“鱼与熊掌，可兼得！”

SiTime MEMS硅晶振采用上下两个晶圆叠加的方式，外部用IC通用的塑料做为封装。不仅大大减少的石英晶振的工序，而且更全面提升了产品性能。

SiTime MEMS硅晶振采用全自动化半导体工艺，塑封。采用MEMS硅晶圆与CMOS晶圆叠加的技术。这就使得SiTime MEMS硅晶振可以在全球任一大的晶圆厂代工生产，而不像石英晶振似的，增加产能就必须建厂。这就使得SiTime MEMS硅晶振的成本在未来将会有很大的下降空间。