石英晶体常规的技术指标

1、标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。

2、工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。

3、调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。常用ppm（1/106）表示。

4、温度频差：在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25±2℃）时工作频率的允许偏差。常用ppm（1/106）表示。

5、老化率：在规定条件下，晶体工作频率随时间而允许的相对变化。以年为时间单位衡量时称为年老化率。

6、静态电容（C0）：等效电路中与串联臂并接的电容，也叫并电容。它的常用公式为：C0=KC0×Ae×F0＋C常数

KC0——电容常数，其取值与装架形式、晶片形状有关;

Ae——电极面积，单位mm2；

F0——标称频率，单位KHz；

C常数——常数，单位PF。

7、动态电容（C1）：等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。它的常用公式为：C1=KC1×Ae×F0＋C常数

KC1——电容常数；

Ae——电极面积，单位mm2;

F0——标称频率，单位KHz;

C常数——常数，单位PF。

8、负载电容（CL）：与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容。负载电容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

9、负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。

10、动态电阻（R1）：串联谐振频率下的等效电阻。

11、负载谐振电阻（RL）：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。它的常用公式为：RL＝R1（1+C0/CL）2

12、基频：在振动模式最低阶次的振动频率。

13、泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。

14、动态电感（L1）：等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量，它的常用公式为：L1=1/(2πF0）2C1 (mh)

15、串联谐振频率（Fr） ：晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个。

16、品质因数（Q）：又称机械Q值，它是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与L1和C1有如下关系：Q=wL1/Rr=1/wRrC1 如上式，R1越大，Q值越低，功率耗散越大，而且还会导致频率不稳定。反之Q值越高，频率越稳定。

17、相对负载频率偏置（DL）：晶体负载谐振频率相对于串联谐振频率的变化量DL=(FL-Fr)/Fr，可由下式近似计算：DL≈C1/2（C0＋CL）

18、寄生响应：所有晶体元件除了主响应（需要的频率）之外，还有其它的频率响应。减弱寄生响应的办法是改变晶片的几何尺寸、电极，以及晶片加工工艺，但是同时会改变晶体的动、静态参数。